〔電子〕改訂版　はじめての半導体ドライエッチング技術

（概要） 「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが、半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず、次々新しい技術が出現しています。本書は、アトミックレイヤーエッチング（ALE）など新しい技術の解説や、ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど、旧版に大幅に加筆訂正を行いました。 （こんな方におすすめ） ・電子電気系のエンジニア全般、半導体関連の技術者、半導体関連の業界を目指す学生 （目次） 1 章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術 　　1.1　ドライエッチングの概要 　　1.2　ドライエッチングにおける評価パラメータ 　　1.3　LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割 2 章　ドライエッチングのメカニズム 　　2.1　プラズマの基礎 　　2.2　イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動 　　2.3　エッチングプロセスの組み立て方 3 章　各種材料のエッチング 　　3.1　ゲートエッチング 　　3.2　SiO2 エッチング 　　3.3　配線エッチング 　　3.4　まとめ 4 章　ドライエッチング装置 　　4.1　ドライエッチング装置の歴史 　　4.2　バレル型プラズマエッチャー 　　4.3　CCP プラズマエッチャー 　　4.4　マグネトロンRIE 　　4.5　ECR プラズマエッチャー 　　4.6　ICP プラズマエッチャー 　　4.7　ドライエッチング装置の実例 　　4.8　静電チャック 5 章　ドライエッチングダメージ 　　5.1　Si 表層部に導入されるダメージ 　　5.2　チャージアップダメージ 6 章　新しいエッチング技術 　　6.1　Cu ダマシンエッチング 　　6.2　Low-k エッチング 　　6.3　ポーラスLow-k を用いたダマシン配線 　　6.4　メタルゲート/High-k エッチング 　　6.5　FinFET エッチング 　　6.6　マルチパターニング 　　6.7　3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング 　　6.8　3D IC 用エッチング技術 7 章　アトミックレイヤーエッチング（ALE） 　　7.1　ALE の原理 　　7.2　ALE の特性 　　7.3　ALE シナジー 　　7.4　EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ 　　7.5　SiO2 ALE 　　7.6　まとめ 8 章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望 　　8.1　ドライエッチングにおける技術革新 　　8.2　今後の課題と展望 　　8.3　エンジニアとしての心構え